삼성전자와 SK하이닉스, 2024년 반도체 투자 전략에 따른 시장 변화 예고

삼성전자와 SK하이닉스는 2024년 설비투자(CAPEX) 규모를 삼성전자는 약 35조원, SK하이닉스는 19조원으로 예상하고 있다. 두 기업은 새로운 장비 영입 대신 기존 장비의 업그레이드와 공정 전환, 그리고 고대역폭 메모리(HBM) 패키징 생산능력 강화를 중심으로 투자 전략을 설정했다. 이는 세계 메모리 반도체 시장의 수급에 변화를 일으킬 것으로 보인다.

반도체의 미세공정 전환 과정에서 발생하는 생산량 손실, 즉 '자연감산'은 범용 D램 시장의 공급 부족을 초래할 수 있으며 이는 가격에 긍정적인 영향을 미칠 가능성이 있다. 그러나 중국의 대규모 생산 능력 확장이 변수로 작용할 수 있다. 중국 기업 CXMT가 구형 D램 시장에서 공급량을 크게 늘릴 경우, 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 가격 상승 효과가 제한될 것으로 전망된다.

업계에 따르면 삼성전자는 내년 D램 공정 전환과 HBM 생산능력 증설에 대부분의 투자를 집중할 것으로 보인다. 현재 구형 D램 비중을 낮추고 선단 공정을 강화하려는 목적이 있다. 시장조사업체 트렌드포스의 보고서에 따르면, 삼성전자와 SK하이닉스의 최선단 공정 D램 비중은 각각 20~30%, 10나노 4세대 비중은 약 30%로 예상되며, 10나노 6세대 D램이 양산될 경우 약 70%가 고성능 D램으로 채워질 것으로 보인다.

하지만 고성능 D램은 생산 시 수율과 복잡한 공정 단계로 인해 생산량을 빠르게 늘리기 어렵다. 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 1b D램 출하량이 기존 구형 공정 대비 30% 낮을 것으로 예상하고 있으며, 1c D램 또한 공정의 복잡성으로 인해 70% 이상의 수율이 달성되는 데 시간이 필요할 것으로 보인다.

삼성전자는 1b D램 관련 생산 프로세스를 개선하기 위한 재설계 작업을 진행 중이며, 이는 D램 출하량에 영향을 미칠 수 있다. 또한 HBM 생산에 필요한 D램의 설계 보완 작업도 진행되고 있어 경쟁 우위를 확보하기 위한 노력이 필요하다.

현재 삼성전자와 SK하이닉스는 레거시 D램 비중을 최대한 줄이고 있으나, 중국 CXMT의 공격적인 생산 능력 확장은 두 기업에게 위협 요소로 작용하고 있다. CXMT는 2025년까지 월평균 30만 장의 웨이퍼 생산 능력을 갖출 것으로 전망된다.

글로벌 투자은행 모건스탠리는 CXMT가 2026년경 미국 마이크론을 제치고 세계 D램 점유율 3위에 오를 것이라고 예상하고 있으며, 이는 삼성전자와 SK하이닉스의 시장 위치에도 영향을 미칠 수 있다.

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